4D NAND指在3D NAND架構(gòu)增加一層額外優(yōu)化層或維度，以提升儲存效率及密度的新型閃存技術(shù)。與3D NAND相比，4D NAND具有集成化程度高、存儲容量大、運行成本低等優(yōu)勢，可用于高端存儲設(shè)備中，工業(yè)自動化、國防軍工、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域為其終端市場。
   NAND FLASH又稱與非型閃存技術(shù)，主要應(yīng)用于智能終端、移動設(shè)備中。2D NAND屬于傳統(tǒng)NAND FLASH技術(shù)，于上世紀八十年代實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，日本東芝株式會社為全球最早擁有2D NAND產(chǎn)品批量生產(chǎn)能力的企業(yè)。3D NAND為2D NAND替代產(chǎn)品，可實現(xiàn)大容量存儲，在眾多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，目前已成為閃存市場主流。4D NAND屬于新一代閃存技術(shù)，目前尚未實現(xiàn)規(guī)�；瘧�(yīng)用，未來伴隨技術(shù)進步以及市場需求增長，其行業(yè)發(fā)展速度將進一步加快。
   4D NAND可滿足存儲芯片小型化、低功耗、低成本需求，在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。在工業(yè)自動化領(lǐng)域，4D NAND可用于工業(yè)級存儲產(chǎn)品中，包括智能高速輕量化存取機器人系統(tǒng)裝備、工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤、工業(yè)級CF/SD卡等；在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，其可用于存儲、處理和傳輸大量數(shù)據(jù)。近年來，受益于國家政策支持，我國數(shù)據(jù)中心建設(shè)進程不斷加快，這將為4D NAND行業(yè)發(fā)展提供有利條件。
   目前，4D NAND行業(yè)尚處于起步階段，市場參與者較少。韓國海力士株式會社（SK hynix）、韓國三星集團（Samsung）、美國西部數(shù)據(jù)公司（Western Digital）以及日本東芝株式會社（TOSHIBA）為全球4D NAND代表企業(yè)。海力士于2018年推出全球首款4D NAND閃存產(chǎn)品——96層512Gb閃存芯片，目前公司正在積極推進321層1Tb TLC 4D NAND閃存技術(shù)的研發(fā)工作。
   我國閃存技術(shù)研究起步較晚，目前尚無企業(yè)具備4D NAND閃存產(chǎn)品自主研發(fā)及生產(chǎn)實力。2023年10月，國家工信部等六部門聯(lián)合發(fā)布《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃》，文件明確提到要實現(xiàn)存儲閃存化升級，加速存力技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用。在此背景下，我國4D NAND行業(yè)發(fā)展態(tài)勢將持續(xù)向好。
   4D NAND作為新一代閃存技術(shù)，適用于多種場景。目前，4D NAND行業(yè)尚處于起步階段，3D NAND仍占據(jù)閃存市場主導(dǎo)地位。預(yù)計未來一段時間，伴隨本土企業(yè)持續(xù)發(fā)力以及國家政策支持，我國4D NAND市場國產(chǎn)化進程將進一步加快。