光電探測(cè)器的功能是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，硅（Si）是常見(jiàn)的光電探測(cè)器用探測(cè)介質(zhì)，但在標(biāo)準(zhǔn)電信波長(zhǎng)范圍內(nèi)其光吸收能力較差。在硅襯底上外延生長(zhǎng)鍺（Ge）吸收層，可以彌補(bǔ)硅材料的缺點(diǎn)，因此硅基鍺探測(cè)器是最為常見(jiàn)的硅基光電探測(cè)器。
　　硅基鍺探測(cè)器具有CMOS兼容性好、傳輸速度高、靈敏度高、響應(yīng)速度快、尺寸小、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。按照光入射方式不同來(lái)劃分，硅基鍺探測(cè)器可以分為面入射、波導(dǎo)耦合兩大類。其中，硅基鍺波導(dǎo)光電探測(cè)器可以與其他光波導(dǎo)器件進(jìn)行集成，能夠應(yīng)用在片上光互連領(lǐng)域。
　　硅基鍺波導(dǎo)光電探測(cè)器的光入射方向與載流子傳輸方向垂直，可以解決響應(yīng)速度與帶寬無(wú)法兼顧的問(wèn)題。硅基鍺波導(dǎo)光電探測(cè)器兼容CMOS集成電路工藝，可以在晶圓上大規(guī)模集成，利用先進(jìn)封裝技術(shù)能夠規(guī)�；�制造硅基光電子集成芯片，降低成本，因此成為硅基光電探測(cè)器的研究重心。
　　在5G、云計(jì)算、人工智能等產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展下，數(shù)據(jù)產(chǎn)生量爆發(fā)式增長(zhǎng)，大容量、高傳輸速度、低功耗的光通信技術(shù)成為主流趨勢(shì)，硅基光電子技術(shù)成為光通信的最佳選擇之一。為滿足光通信系統(tǒng)的高傳輸速率要求，高速光電探測(cè)器成為發(fā)展重點(diǎn)，硅基鍺波導(dǎo)光電探測(cè)器作為核心器件，成為硅基光電子、光通信技術(shù)進(jìn)步的重要推動(dòng)力。
　　進(jìn)入21世紀(jì)，在信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展推動(dòng)下，硅基鍺探測(cè)器研究步伐不斷加快，與西方國(guó)家相比，我國(guó)研究起步相對(duì)較晚，2009年，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研制出我國(guó)首個(gè)高速硅基鍺光電探測(cè)器。2020年以來(lái)，我國(guó)硅基鍺探測(cè)器相關(guān)研究成果還在不斷增多。
　　2020年，中電科技集團(tuán)重慶聲光電有限公司在《微電子學(xué)》上發(fā)表題為“一種硅基選擇性外延生長(zhǎng)的鍺波導(dǎo)光探測(cè)器”的論文；2022年3月，中國(guó)電科44所公開(kāi)了一項(xiàng)名為“低暗電流硅基鍺探測(cè)器的制作方法”的發(fā)明專利；2022年4月，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)在《半導(dǎo)體光電》上發(fā)表題為“硅基鍺PIN光電探測(cè)器的研究進(jìn)展”的論文。
　　在光通信領(lǐng)域，硅基鍺探測(cè)器發(fā)展?jié)摿Υ蟆?024年8月，工信部發(fā)布國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“信息光子技術(shù)”重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度項(xiàng)目申報(bào)指南，提出針對(duì)微波光子鏈路對(duì)寬頻帶、大動(dòng)態(tài)范圍的需求，研究高速高飽和功率硅基鍺波導(dǎo)光電探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)。在市場(chǎng)需求、技術(shù)發(fā)展以及政策的多重推動(dòng)下，硅基鍺探測(cè)器擁有廣闊市場(chǎng)空間。