氮化鋁薄膜，又稱AlN薄膜，指由氮和鋁元素通過化學鍵合制成的無機非金屬薄膜材料。氮化鋁薄膜具備化學穩(wěn)定性好、熱穩(wěn)定性佳、耐磨性好、電學性能好等優(yōu)勢，在電子電氣、國防軍工、通信系統(tǒng)以及航空航天等領(lǐng)域擁有巨大應(yīng)用潛力。
   氮化鋁薄膜制備方法包括物理氣相沉積法（PVD）以及化學氣相沉積法（CVD）兩種�；瘜W氣相沉積法可細分為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）、常壓化學氣相沉積法（APCVD）以及低壓化學氣相沉積法（LPCVD）等。PECVD法可在低溫條件下實現(xiàn)薄膜生長，具備成品質(zhì)量好、參數(shù)易控制等優(yōu)勢，未來有望成為氮化鋁薄膜主流制備方法。
   氮化鋁薄膜在眾多領(lǐng)域擁有巨大應(yīng)用潛力，主要包括電子電氣、國防軍工、通信系統(tǒng)以及航空航天等。在電子電氣領(lǐng)域，氮化鋁薄膜作為襯底材料以及封裝材料，可用于功率電子器件制備環(huán)節(jié)；在國防軍工領(lǐng)域，其可用于制造導彈傳感器、戰(zhàn)場光學設(shè)備透鏡等；在通信系統(tǒng)領(lǐng)域，其可用于制造微波射頻器件；在航空航天領(lǐng)域，其可用于制造飛行控制系統(tǒng)傳感器。
   近年來，我國氮化鋁薄膜研發(fā)熱情持續(xù)高漲，已取得眾多新進展。2024年7月，北京理工大學物理學院與北京計算科學研究中心、北京大學研究團隊合作，基于氮化鋁薄膜與石墨烯的相互作用，成功發(fā)現(xiàn)出一種新型氮化鋁薄膜生長模型——雜化范德華外延（HVE）模型，未來該項成果將在寬禁帶半導體材料研究過程中獲得應(yīng)用。
   中瓷電子、先為科技、艾森達新材、森遠股份等為我國氮化鋁薄膜市場主要參與者。中瓷電子專注于電子陶瓷系列產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，目前，公司已具備氮化鋁薄膜批量生產(chǎn)實力，產(chǎn)品在高頻高速光模塊中已獲得廣泛應(yīng)用。據(jù)中瓷電子企業(yè)半年報顯示，2024年上半年公司電子陶瓷材料及元件實現(xiàn)營收8.2億元。
   氮化鋁薄膜作為一種高性能無機非金屬薄膜，應(yīng)用潛力巨大。未來伴隨市場需求逐漸釋放，我國氮化鋁薄膜行業(yè)發(fā)展速度將不斷加快。受益于研究深入、技術(shù)進步，氮化鋁薄膜行業(yè)景氣度有所提升。在市場競爭方面，我國已有多家企業(yè)布局氮化鋁薄膜行業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)賽道，未來其行業(yè)發(fā)展態(tài)勢將持續(xù)向好。