高純鈷靶材，是以金屬鈷（Co）為材料，純度達(dá)到5N（99.999%）級別，可以通過濺射鍍膜工藝制備薄膜的材料。
　　從高純鈷靶材原材料來看，全球鈷資源稀缺，已探明儲量主要分布在剛果（金），我國鈷資源貧乏，鈷礦需求依靠進(jìn)口，剛果（金）是主要進(jìn)口國。近幾年全球鈷價格波動幅度大，2022年年中達(dá)到頂峰，之后整體呈現(xiàn)下降趨勢，2025年初，為應(yīng)對全球鈷供應(yīng)過剩價格下跌問題，剛果（金）暫停鈷礦出口，導(dǎo)致鈷價格上漲，但仍低于2022年頂峰水平。
　　鈷靶材具有優(yōu)良的硬度、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性等性能，可以應(yīng)用在半導(dǎo)體器件、光電器件、磁性存儲材料、電子元件、傳感器、光伏電池等制造領(lǐng)域，使用時利用高能粒子轟擊靶材在基材表面沉積形成薄膜。在集成電路領(lǐng)域，高純鈷靶材發(fā)揮著重要作用，在先進(jìn)工藝制程下可以提高芯片導(dǎo)電性能，降低芯片功耗，提升芯片頻率響應(yīng)速度。
　  為保證薄膜質(zhì)量，應(yīng)用在集成電路領(lǐng)域的高純鈷靶材純度要求極高、雜質(zhì)含量要求極低，且靶材內(nèi)部成分的均勻度要求高，與常規(guī)鈷靶材相比，高純鈷靶材制備難度大，工藝精度控制嚴(yán)格，特別是應(yīng)用在超大規(guī)模集成電路制造領(lǐng)域的大尺寸高純鈷靶材，全球生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量極少。
　　我國集成電路產(chǎn)業(yè)核心競爭力正在不斷增強(qiáng)，基于超大規(guī)模集成電路的邏輯芯片、存儲芯片的開發(fā)制造能力不斷增強(qiáng)，需要采用12英寸高純鈷靶材。我國12英寸高純鈷靶材需求主要依靠進(jìn)口，在國際政治經(jīng)濟(jì)形勢多變以及我國向制造強(qiáng)國方向發(fā)展背景下，為避免被卡脖子，12英寸高純鈷靶材必須實(shí)現(xiàn)自主生產(chǎn)。
　　有研億金新材料有限公司突破了相關(guān)技術(shù)瓶頸，自主開發(fā)出集成電路用12英寸高純鈷靶材，純度5N，氧含量≤100ppm，透磁率≥70%，焊合率≥99%，可以用于邏輯芯片、存儲芯片制造中，具有批量供應(yīng)能力。2023年9月，有研億金在山東德州生產(chǎn)基地建設(shè)的集成電路用高純?yōu)R射靶材項(xiàng)目投產(chǎn)，其中包括12英寸高純鈷靶材產(chǎn)能。
   有研新材料股份有限公司發(fā)布的一季度財(cái)報(bào)中顯示，2025年第一季度，公司營收為18.4億元，同比下降18.67%，凈利潤為6738.47萬元，同比增長14698.12%；凈利潤增長主要得益于有研億金、有研稀土兩家子公司凈利潤增加，其中，有研億金歸屬于上市公司股東凈利潤同比增長67.00%。